晶圆划片是半导体芯片制造工艺流程中的一道必不可少的工序，在晶圆制造中属后道工序。将做好芯片的整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片（晶粒），称之为晶圆划片。

　　以现在我们所掌握的技术，目前我们只能在一种在半导体行业内称为 GPP (Glass passivation Process) 的工艺所生产的台面二极管、方片可控硅、触发管晶圆的划片中应用，与传统的划片工艺相比有较大优势，目前国内有很多家工厂生产这种工艺制造的 GPP 晶圆及其成品。出于对产品质量精益求精的高要求，多家工厂无论在产品研发、科学研究、质量管理等方面，都不断致力于寻求新的工艺以提高工作效率，从而为客户提供更高质量的产品。

　　在晶圆划片行业，主要有两种切割工艺，一个是传统的刀片切割，另一个新型的现代工艺激光划片。下面，将通过对比两种切割工艺，证明激光划片的优势。

　　最早的晶圆是用划片系统进行划片（切割）的，现在这种方法仍然占据了世界芯片切割市场的较大份额，特别是在非集成电路晶圆划片领域。金刚石锯片（砂轮）划片方法是目前常见的晶圆划片方法。原理：当工作物是属于硬、脆的材质，钻石颗粒会以撞击（Fracturing）的方式，将工作物敲碎，再利用刀口将粉末移除。

存在的问题

● 刀片划片直接作用于晶圆表面，在晶体内部产生损伤，容易产生晶圆崩边及晶片破损；

● 刀片具有一定的厚度，导致刀具的划片线宽较大；

● 耗材大，刀片需每半个月更换一次；

● 环境污染大，切割后的硅粉水难处理。

　　由于激光在聚焦上的优点, 聚焦点可小到亚微米数量级, 从而对晶圆的微处理更具优势, 可以进行小部件的加工。即使在不高的脉冲能量水平下, 也能得到较高的能量密度, 有效地进行材料加工。激光划片属于非接触式加工，可以避免出现芯片破碎和其它损坏现象。

加工优势
● 激光划片采用的高光束质量的光纤激光器对芯片的电性影响小，可提高的划片成品率；
● 激光划片速度快，高达150mm/s；
● 激光可以对不同厚度的晶圆进行作业，具有更好的兼容性和通用性；
● 激光可以切割一些较复杂的晶圆芯片，如六边形管芯等；
● 激光划片不需要去离子水，不存在刀具磨损问题，并可连续24小时作业。

　　华工激光致力于为客户提供全套的解决方案。在分析了客户的工艺问题后，华工激光建议客户使用激光切割，激光切割是由激光束经透镜聚焦，在焦点处聚成一极小的光斑，可以达到几十微米最小几微米，将焦点调制到工件平面，当足够功率的光束照射到物体上时，光能迅速转换为热能，会产生10000°C以上的局部高温使工件瞬间熔化甚至汽化，从而将工件切割到我们需要的深度或者切透。

　　通过对比华工激光晶圆划片机和刀片机，我们得到以下数据：

　　经过我们不断的努力与设备升级，我们成功使用激光切割替代了刀片切割设备，可以满足客户电泳法、光阻法、刀刮法制作的GPP芯片，使客户不仅提升了切割效率，更节省了成本，促进了整体效益的提升，现激光切割设备在客户处稳定生产已达3年之久。

　　应用于半导体制造行业单、双台面玻璃钝化二极管晶圆，单、双台面可控硅晶圆，IC晶圆切割等半导体晶圆片的切割划片。

二极管GPP晶圆触发管GPP晶圆直线六边形GPP晶圆硅放电管晶圆双台面方片可控硅晶圆